Китайские источники утверждают, что TSMC намерена в конечном счёте отказаться от технологии FinFET в пользу GAAFET. Причиной этому являются потенциальные узкие места, которые FinFET будет иметь при переходе на 3 нанометра. Хотя TSMC пока не комментирует это официально, издание Economic Daily считает, что компания объявит об этом уже совсем скоро, возможно, на следующем ежегодном техническом форуме.
Говоря о 2 нанометрах, подразумевается расстояние между каждым транзистором на чипе. Меньшее расстояние означает более эффективное энергопотребление. Аббревиатура GAAFET расшифровывается как Gate-All-Around Field-Effect Transistor, то есть использование полевого транзистора с горизонтальным расположением каналов и круговым затвором. Технология FinFET использует полевой транзистор с вертикально расположенными каналами. Техпроцесс ниже 3 нм приводит к проблемам с тепловым рассеянием, а также к снижению подвижности электронов и утечке тока. GAAFET имеет преимущество в этом плане.
В прошлом году TSMC официально анонсировала первые в мире R&D-центры в Синьчжу (Тайвань) по освоению и разработке 2-нм техпроцесса. Компания уже приступила к массовому производству 5-нм чипов, в то время как модернизация 3-нм технологии займёт ещё год или два. Samsung со своей стороны объявила, что также будет использовать технологию GAAFET. Южнокорейский гигант намерен перейти на 3-нм техпроцесс, пропустив освоение 4 нм, чтобы догнать TSMC.
Источник: